Simulation thermique de la fusion et de la recristallisation par lasers à excimères du silicium amorphe pour les applications transistors en couches minces
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ژورنال
عنوان ژورنال: Annales de Physique
سال: 1997
ISSN: 0003-4169,1286-4838
DOI: 10.1051/anphys/1997043